NE5550779A-T1-A

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Artikelnummer	NE5550779A-T1-A
LIXINC Part #	NE5550779A-T1-A
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NE5550779A-T1-A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 20 - Sep 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NE5550779A-T1-A Spezifikationen

Artikelnummer:	NE5550779A-T1-A
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	LDMOS
Frequenz:	900MHz
gewinnen:	22dB
Spannung - testen:	7.5 V
Nennstrom (Ampere):	2.1A
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	140 mA
Leistung:	38.5dBm
Spannung - bewertet:	30 V
Paket / Koffer:	4-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	79A

NE5550779A-T1-A Unterlagen

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