DMT47M2LDVQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT47M2LDVQ-13

DMT47M2LDVQ-13

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Artikelnummer	DMT47M2LDVQ-13
LIXINC Part #	DMT47M2LDVQ-13
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMT47M2LDVQ-13 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMT47M2LDVQ-13 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMT47M2LDVQ-13
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	40V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	10.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	891pF @ 20V
Leistung max:	2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerDI3333-8 (Type UXC)

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FDBL9406	N-CHANNEL POWER MOSFET	4976 Mehr auf Bestellung
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FS50KM-2-J2#E52	DISCRETE / POWER MOSFET	1692 Mehr auf Bestellung

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