EFC6602R-A-TR | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

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Artikelnummer	EFC6602R-A-TR
LIXINC Part #	EFC6602R-A-TR
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH EFCP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EFC6602R-A-TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EFC6602R-A-TR Spezifikationen

Artikelnummer:	EFC6602R-A-TR
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-XFBGA, FCBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	EFCP2718-6CE-020