MVDF2C03HDR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G

MVDF2C03HDR2G

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Artikelnummer	MVDF2C03HDR2G
LIXINC Part #	MVDF2C03HDR2G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MVDF2C03HDR2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MVDF2C03HDR2G Spezifikationen

Artikelnummer:	MVDF2C03HDR2G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel Complementary
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.1A, 3A
rds auf (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	630pF @ 24V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC