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AUIRF7343Q

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Artikelnummer	AUIRF7343Q
LIXINC Part #	AUIRF7343Q
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AUIRF7343Q PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AUIRF7343Q Spezifikationen

Artikelnummer:	AUIRF7343Q
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	55V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.7A, 3.4A
rds auf (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	36nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	740pF @ 25V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO