FDG6321C-F169 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDG6321C-F169

FDG6321C-F169

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Artikelnummer	FDG6321C-F169
LIXINC Part #	FDG6321C-F169
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	INTEGRATED CIRCUIT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDG6321C-F169 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FDG6321C-F169 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDG6321C-F169
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	25V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	500mA (Ta), 410mA (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Leistung max:	300mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-88/SC70-6/SOT-363