SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 | SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

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Artikelnummer	SQJ262EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ262EP-T1_GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SQJ262EP-T1_GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SQJ262EP-T1_GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SQJ262EP-T1_GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	15A (Tc), 40A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Leistung max:	27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric