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NVMFD5853NWFT1G

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Artikelnummer	NVMFD5853NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFD5853NWFT1G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	N-CHANNEL, MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFD5853NWFT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NVMFD5853NWFT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFD5853NWFT1G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	40V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	24nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1225pF @ 25V
Leistung max:	3.1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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