SI8900EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix SI8900EDB-T2-E1 | SI8900EDB-T2-E1 Inventory, Best Pricing

SI8900EDB-T2-E1

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Artikelnummer	SI8900EDB-T2-E1
LIXINC Part #	SI8900EDB-T2-E1
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI8900EDB-T2-E1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI8900EDB-T2-E1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI8900EDB-T2-E1
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.4A
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1.1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	10-UFBGA, CSPBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	10-Micro Foot™ CSP (2x5)

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