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MJE801STU

MJE801STU
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Artikelnummer MJE801STU
LIXINC Part # MJE801STU
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle MJE801STU PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJE801STU Spezifikationen

Artikelnummer:MJE801STU
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
Transistortyp:NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:2.8V @ 40mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max):100µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 2A, 3V
Leistung max:40 W
Frequenz - Übergang:-
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-126-3

MJE801STU Unterlagen

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