BUK763R9-60E/GFJ | NXP Semiconductors BUK763R9-60E/GFJ | BUK763R9-60E/GFJ Inventory, Best Pricing

BUK763R9-60E/GFJ

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Artikelnummer	BUK763R9-60E/GFJ
LIXINC Part #	BUK763R9-60E/GFJ
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	MOSFET N-CH D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BUK763R9-60E/GFJ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BUK763R9-60E/GFJ Spezifikationen

Artikelnummer:	BUK763R9-60E/GFJ
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	*
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	-
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	-
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	-
Leistung max:	-
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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