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2SB808G-SPA-AC

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Artikelnummer	2SB808G-SPA-AC
LIXINC Part #	2SB808G-SPA-AC
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	SILICON EPITAXIAL PLANAR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SB808G-SPA-AC PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SB808G-SPA-AC Spezifikationen

Artikelnummer:	2SB808G-SPA-AC
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	-
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	-
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	-
Leistung max:	-
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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