2SA1869-Y(Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1869-Y(Q,M)

2SA1869-Y(Q,M)

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Artikelnummer	2SA1869-Y(Q,M)
LIXINC Part #	2SA1869-Y(Q,M)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 3A 50V TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SA1869-Y(Q,M) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SA1869-Y(Q,M) Spezifikationen

Artikelnummer:	2SA1869-Y(Q,M)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	600mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 500mA, 2V
Leistung max:	10 W
Frequenz - Übergang:	100MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220NIS