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2N5012

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Artikelnummer	2N5012
LIXINC Part #	2N5012
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	NPN SILICON TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2N5012 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

2N5012 Spezifikationen

Artikelnummer:	2N5012
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	700 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 25mA, 10V
Leistung max:	1 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-5