FJBE2150DTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJBE2150DTU

FJBE2150DTU

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Artikelnummer	FJBE2150DTU
LIXINC Part #	FJBE2150DTU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FJBE2150DTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FJBE2150DTU Spezifikationen

Artikelnummer:	FJBE2150DTU
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	ESBC™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	800 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 330mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 400mA, 3V
Leistung max:	110 W
Frequenz - Übergang:	5MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263)