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JAN2N5012S

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Artikelnummer	JAN2N5012S
LIXINC Part #	JAN2N5012S
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	NPN TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	JAN2N5012S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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JAN2N5012S Spezifikationen

Artikelnummer:	JAN2N5012S
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Microsemi
Serie:	Military, MIL-PRF-19500/727
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	700 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 25mA, 10V
Leistung max:	1 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-39 (TO-205AD)