2SA965-Y,T6F(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA965-Y,T6F(J

2SA965-Y,T6F(J

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Artikelnummer	2SA965-Y,T6F(J
LIXINC Part #	2SA965-Y,T6F(J
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SA965-Y,T6F(J PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SA965-Y,T6F(J Spezifikationen

Artikelnummer:	2SA965-Y,T6F(J
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	800 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	120 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 100mA, 5V
Leistung max:	900 mW
Frequenz - Übergang:	120MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket des Lieferanten:	LSTM