2SA1680(T6DNSO,F,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1680(T6DNSO,F,M | 2SA1680(T6DNSO,F,M Inventory, Best Pricing

2SA1680(T6DNSO,F,M

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	2SA1680(T6DNSO,F,M
LIXINC Part #	2SA1680(T6DNSO,F,M
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SA1680(T6DNSO,F,M PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

2SA1680(T6DNSO,F,M Spezifikationen

Artikelnummer:	2SA1680(T6DNSO,F,M
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	500mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 100mA, 2V
Leistung max:	900 mW
Frequenz - Übergang:	100MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92MOD