FJP9100TU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJP9100TU

FJP9100TU

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FJP9100TU
LIXINC Part #	FJP9100TU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FJP9100TU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FJP9100TU Spezifikationen

Artikelnummer:	FJP9100TU
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	275 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.5V @ 5mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 500mA, 5V
Leistung max:	40 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3