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NSS35200CF8T1G

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Artikelnummer	NSS35200CF8T1G
LIXINC Part #	NSS35200CF8T1G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	35 V, 7 A, VCE PNP TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSS35200CF8T1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NSS35200CF8T1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSS35200CF8T1G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	35 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 20mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1.5A, 2V
Leistung max:	635 mW
Frequenz - Übergang:	100MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten:	ChipFET™

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