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MJ10012

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Artikelnummer	MJ10012
LIXINC Part #	MJ10012
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	T-NPN SI- PO DARL SW
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJ10012 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MJ10012 Spezifikationen

Artikelnummer:	MJ10012
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	400 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	2.5V @ 2A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1mA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	300 @ 3A, 6V
Leistung max:	175 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3

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