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FJP2160DTU

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Artikelnummer	FJP2160DTU
LIXINC Part #	FJP2160DTU
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FJP2160DTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FJP2160DTU Spezifikationen

Artikelnummer:	FJP2160DTU
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	ESBC™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	800 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	750mV @ 330mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 400mA, 3V
Leistung max:	100 W
Frequenz - Übergang:	5MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3

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