KSD2012GTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor KSD2012GTU

KSD2012GTU

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Artikelnummer	KSD2012GTU
LIXINC Part #	KSD2012GTU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	KSD2012GTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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KSD2012GTU Spezifikationen

Artikelnummer:	KSD2012GTU
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	150 @ 500mA, 5V
Leistung max:	25 W
Frequenz - Übergang:	3MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220F

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