NSV2SC5658M3T5G | Rochester Electronics NSV2SC5658M3T5G | NSV2SC5658M3T5G Inventory, Best Pricing

NSV2SC5658M3T5G

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Artikelnummer	NSV2SC5658M3T5G
LIXINC Part #	NSV2SC5658M3T5G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSV2SC5658M3T5G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSV2SC5658M3T5G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSV2SC5658M3T5G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 6V
Leistung max:	260 mW
Frequenz - Übergang:	180MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-723

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