BD810G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor BD810G

BD810G

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Artikelnummer	BD810G
LIXINC Part #	BD810G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BD810G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BD810G Spezifikationen

Artikelnummer:	BD810G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	80 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.1V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	15 @ 4A, 2V
Leistung max:	90 W
Frequenz - Übergang:	1.5MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB

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