MJD253-1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJD253-1G

MJD253-1G

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Artikelnummer	MJD253-1G
LIXINC Part #	MJD253-1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 100V 4A IPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJD253-1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MJD253-1G Spezifikationen

Artikelnummer:	MJD253-1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	600mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	40 @ 200mA, 1V
Leistung max:	1.4 W
Frequenz - Übergang:	40MHz
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten:	I-PAK

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