2SC3646S-P-TD-E | Rochester Electronics 2SC3646S-P-TD-E | 2SC3646S-P-TD-E Inventory, Best Pricing

2SC3646S-P-TD-E

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Artikelnummer	2SC3646S-P-TD-E
LIXINC Part #	2SC3646S-P-TD-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 100V
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SC3646S-P-TD-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SC3646S-P-TD-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SC3646S-P-TD-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	400mV @ 40mA, 400mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	140 @ 100mA, 5V
Leistung max:	500 mW
Frequenz - Übergang:	120MHz
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-243AA
Gerätepaket des Lieferanten:	PCP

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