NSVMMBT5551M3T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMMBT5551M3T5G

NSVMMBT5551M3T5G

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Artikelnummer	NSVMMBT5551M3T5G
LIXINC Part #	NSVMMBT5551M3T5G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSVMMBT5551M3T5G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSVMMBT5551M3T5G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSVMMBT5551M3T5G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	160 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
Leistung max:	265 mW
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-723

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