2SC3324GRTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SC3324GRTE85LF

2SC3324GRTE85LF

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Artikelnummer	2SC3324GRTE85LF
LIXINC Part #	2SC3324GRTE85LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SC3324GRTE85LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 28 - Jul 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SC3324GRTE85LF Spezifikationen

Artikelnummer:	2SC3324GRTE85LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	120 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
Leistung max:	150 mW
Frequenz - Übergang:	100MHz
Betriebstemperatur:	125°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-236

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