2SA1955FVATPL3Z | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z

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Artikelnummer	2SA1955FVATPL3Z
LIXINC Part #	2SA1955FVATPL3Z
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SA1955FVATPL3Z PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SA1955FVATPL3Z Spezifikationen

Artikelnummer:	2SA1955FVATPL3Z
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	400 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	12 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	300 @ 10mA, 2V
Leistung max:	100 mW
Frequenz - Übergang:	130MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten:	CST3

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