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BDV65

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Artikelnummer	BDV65
LIXINC Part #	BDV65
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 60V 12A TO218
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BDV65 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 25 - Oct 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BDV65 Spezifikationen

Artikelnummer:	BDV65
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	12 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 5A, 4V
Leistung max:	125 W
Frequenz - Übergang:	60MHz
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-218-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-218

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