MMBTA13LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G

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Artikelnummer	MMBTA13LT1G
LIXINC Part #	MMBTA13LT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN DARL 30V 300MA SOT23-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MMBTA13LT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MMBTA13LT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	MMBTA13LT1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	300 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	30 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.5V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	10000 @ 100mA, 5V
Leistung max:	225 mW
Frequenz - Übergang:	125MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3 (TO-236)