BFN18H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFN18H6327XTSA1 | BFN18H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BFN18H6327XTSA1

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Artikelnummer	BFN18H6327XTSA1
LIXINC Part #	BFN18H6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANSISTOR AF SOT89-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFN18H6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFN18H6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFN18H6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Not For New Designs
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	300 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 30mA, 10V
Leistung max:	1.5 W
Frequenz - Übergang:	70MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-243AA
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT89

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