NJVMJD45H11D3T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD45H11D3T4G

NJVMJD45H11D3T4G

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Artikelnummer	NJVMJD45H11D3T4G
LIXINC Part #	NJVMJD45H11D3T4G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NJVMJD45H11D3T4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NJVMJD45H11D3T4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NJVMJD45H11D3T4G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	80 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1V @ 400mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	40 @ 4A, 1V
Leistung max:	20 W
Frequenz - Übergang:	90MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK

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