BD681G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor BD681G

BD681G

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Artikelnummer	BD681G
LIXINC Part #	BD681G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BD681G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BD681G Spezifikationen

Artikelnummer:	BD681G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	2.5V @ 30mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	750 @ 1.5A, 3V
Leistung max:	40 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-225AA

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