MJ11012G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJ11012G

MJ11012G

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Artikelnummer	MJ11012G
LIXINC Part #	MJ11012G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJ11012G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MJ11012G Spezifikationen

Artikelnummer:	MJ11012G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	4V @ 300mA, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1mA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 20A, 5V
Leistung max:	200 W
Frequenz - Übergang:	4MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-204 (TO-3)

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