RN1103MFV,L3F(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1103MFV,L3F(CT

RN1103MFV,L3F(CT

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Artikelnummer	RN1103MFV,L3F(CT
LIXINC Part #	RN1103MFV,L3F(CT
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RN1103MFV,L3F(CT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RN1103MFV,L3F(CT Spezifikationen

Artikelnummer:	RN1103MFV,L3F(CT
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	22 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	150 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten:	VESM

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