RN1441ATE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1441ATE85LF

RN1441ATE85LF

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Artikelnummer	RN1441ATE85LF
LIXINC Part #	RN1441ATE85LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RN1441ATE85LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RN1441ATE85LF Spezifikationen

Artikelnummer:	RN1441ATE85LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	300 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	20 V
Widerstand - Basis (r1):	5.6 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 4mA, 2V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	100mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	30 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	S-Mini