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NSBA113EF3T5G

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Artikelnummer	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSBA113EF3T5G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSBA113EF3T5G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSBA113EF3T5G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	1 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	254 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-1123
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-1123