BCR523E6433HTMA1 | IR (Infineon Technologies) BCR523E6433HTMA1 | BCR523E6433HTMA1 Inventory, Best Pricing

BCR523E6433HTMA1

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Artikelnummer	BCR523E6433HTMA1
LIXINC Part #	BCR523E6433HTMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BCR523E6433HTMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BCR523E6433HTMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BCR523E6433HTMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Not For New Designs
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	1 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 50mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	100 MHz
Leistung max:	330 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3

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