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MDS150

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Artikelnummer	MDS150
LIXINC Part #	MDS150
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MDS150 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 25 - Oct 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MDS150 Spezifikationen

Artikelnummer:	MDS150
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60V
Frequenz - Übergang:	1.03GHz ~ 1.09GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	10dB
Leistung max:	350W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	4A
Betriebstemperatur:	200°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	55AW
Gerätepaket des Lieferanten:	55AW

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