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MS1006

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Artikelnummer	MS1006
LIXINC Part #	MS1006
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MS1006 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 25 - Oct 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MS1006 Spezifikationen

Artikelnummer:	MS1006
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	55V
Frequenz - Übergang:	30MHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	14dB
Leistung max:	127W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	19 @ 1.4A, 6V
Strom - Kollektor (ic) (max):	3.25A
Betriebstemperatur:	200°C
Befestigungsart:	Stud Mount
Paket / Koffer:	M135
Gerätepaket des Lieferanten:	M135

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