NSVF6001SB6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVF6001SB6T1G

NSVF6001SB6T1G

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Artikelnummer	NSVF6001SB6T1G
LIXINC Part #	NSVF6001SB6T1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSVF6001SB6T1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSVF6001SB6T1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSVF6001SB6T1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	12V
Frequenz - Übergang:	6.7GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
gewinnen:	11dB
Leistung max:	800mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	6-CPH

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