BFG198,115

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Artikelnummer	BFG198,115
LIXINC Part #	BFG198,115
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFG198,115 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFG198,115 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFG198,115
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	10V
Frequenz - Übergang:	8GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	-
Leistung max:	1W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	40 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-223

BFG198,115 Unterlagen

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