BFG10,215

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Artikelnummer	BFG10,215
LIXINC Part #	BFG10,215
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFG10,215 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFG10,215 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFG10,215
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	8V
Frequenz - Übergang:	1.9GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	7dB
Leistung max:	400mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	25 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	250mA
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-253-4, TO-253AA
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-143B

BFG10,215 Unterlagen

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