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BFG35,115

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Artikelnummer	BFG35,115
LIXINC Part #	BFG35,115
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFG35,115 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFG35,115 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFG35,115
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	18V
Frequenz - Übergang:	4GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	-
Leistung max:	1W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	25 @ 100mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150mA
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-223