HN3C10FUTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF

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Artikelnummer	HN3C10FUTE85LF
LIXINC Part #	HN3C10FUTE85LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HN3C10FUTE85LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HN3C10FUTE85LF Spezifikationen

Artikelnummer:	HN3C10FUTE85LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	12V
Frequenz - Übergang:	7GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
gewinnen:	11.5dB
Leistung max:	200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	US6

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