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BF799E6327HTSA1

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Artikelnummer	BF799E6327HTSA1
LIXINC Part #	BF799E6327HTSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF NPN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BF799E6327HTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BF799E6327HTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BF799E6327HTSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	20V
Frequenz - Übergang:	800MHz
Rauschzahl (db typ @ f):	3dB @ 100MHz
gewinnen:	-
Leistung max:	280mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	40 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	35mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3

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