BFP640FESDH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFP640FESDH6327XTSA1 | BFP640FESDH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BFP640FESDH6327XTSA1

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Artikelnummer	BFP640FESDH6327XTSA1
LIXINC Part #	BFP640FESDH6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFP640FESDH6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFP640FESDH6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFP640FESDH6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	4.7V
Frequenz - Übergang:	46GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
gewinnen:	8B ~ 30.5dB
Leistung max:	200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	110 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	4-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	4-TSFP

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