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NTE313

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Artikelnummer	NTE313
LIXINC Part #	NTE313
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 30V 530MHZ 3SMD
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTE313 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTE313 Spezifikationen

Artikelnummer:	NTE313
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	30V
Frequenz - Übergang:	530MHz
Rauschzahl (db typ @ f):	2.5dB @ 200MHz
gewinnen:	23dB
Leistung max:	150mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	3-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten:	3-SMD

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